2022.05.16 (월)

  • 맑음동두천 8.5℃
  • 맑음강릉 15.0℃
  • 맑음서울 11.8℃
  • 맑음대전 9.2℃
  • 구름조금대구 12.2℃
  • 구름많음울산 12.4℃
  • 구름조금광주 12.3℃
  • 구름많음부산 14.1℃
  • 구름많음고창 7.8℃
  • 흐림제주 14.2℃
  • 맑음강화 10.9℃
  • 구름조금보은 5.3℃
  • 구름많음금산 5.5℃
  • 흐림강진군 10.8℃
  • 구름조금경주시 10.3℃
  • 구름많음거제 11.5℃
기상청 제공

IT/과학/기타

코보, 업계 최고 수준의 1200V Gen 4 SiC FET 출시

URL복사

 

(뉴미디어뉴스) RF 및 전원 솔루션의 세계적 선도 기업인 코보(Qorvo®)가 업계 선도적인 온-저항 수치를 제공하는 차세대 1200V 실리콘 카바이드(SiC) FET (Field Effect Transistor) 시리즈를 발표했다.

1200V Gen4 SiC FET의 새로운 UF4C/SC 시리즈는 800V 버스 구조의 전기자동차(EV)용 OBC (On Board Charger), 산업용 배터리 충전기, 산업용 전원 공급 장치, DC/DC 태양광 인버터를 비롯해 용접기, 무정전 전원 공급 장치(UPS), 인덕션 애플리케이션에 이상적이다.

UnitedSiC/Qorvo의 아눕 발라(Anup Bhalla) 파워 디바이스 담당 수석 엔지니어는 '1200V까지 확장된 UnitedSiC의 차세대 고성능 Gen4 옵션을 통해, 우리는 800V로 버스 전압 구조를 옮기려는 개발자에게 더 나은 지원을 제공할 수 있게 됐다'며 '전기 자동차에서는 이처럼 높은 전압으로의 전환이 불가피하며, 4가지의 서로 다른 RDS (on) 값을 가진 이러한 차세대 신제품들은 설계 시 개발자가 최적의 SiC를 선택할 수 있도록 도와준다'고 말했다.

동급 최고의 성능을 나타내는 새로운 UF4C/SC 시리즈의 성능은 다음과 같다:

1.성능 지표(FOM): RDS (on),A, 값(Value): 1.35 mOhm-cm2
2.성능 지표(FOM): RDS (on),Eoss, 값(Value): 0.78 Ohm-uJ
3.성능 지표(FOM): RDS (on),Coss,tr, 값(Value): 4.5 Ohm-pF
4.성능 지표(FOM): RDS (on),Qg, 값(Value): 0.9 Ohm-nC

23, 30, 53 및 70mΩ의 RDS(on) 값을 나타내는 모든 제품들은 업계 표준 TO-247-4L 패키지로 제공돼 보다 높은 성능 레벨에서도 저잡음의 스위칭을 제공한다. 53 및 70mΩ 제품의 경우 TO-247-3L 패키지로도 제공된다. 이번 신제품들은 소결 다이 부착 방식(silver-sinter die attach) 및 최신의 웨이퍼 박형 공정을 통해 우수한 발열 성능을 기반으로 뛰어난 신뢰성을 확보하고 있다.

모든 1200V SiC FET는 다양한 AC/DC 및 절연/비절연 DC/DC 컨버터 토폴로지에 사용되는 디바이스의 효율, 부품 손실, 접합 온도 상승을 즉시 평가할 수 있는 무료 온라인 설계 도구인 FET-Jet CalculatorTM에 포함돼 있다. 또한 최적의 솔루션 구현을 위해 사용자가 지정한 히트싱크 조건에서 단일 및 병렬 디바이스를 비교할 수 있다.

코보(Qorvo)의 SiC 및 전원 관리 제품군은 다양한 산업, 상업, 소비가전 애플리케이션의 효율적인 충전 및 전원 관리를 가능하게 한다.